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信息名称:市发展改革委关于晶能光电(常州)有限公司GaN材料LED大功率外延芯片项目核准的批复
索 引 号:014109445/2011-00413
法定主动公开分类: 公开方式:主动公开
文件编号:常发改行服〔2011〕248号 发布机构:市发展和改革委员会
生成日期:2011-12-02 公开日期:2011-12-18 废止日期:有效
内容概述:为有效实施节能减排战略,满足LED在电视、照明、汽车等领域快速增长的市场需求,同意实施GaN材料LED大功率外延芯片生产建设项目
市发展改革委关于晶能光电(常州)有限公司GaN材料LED大功率外延芯片项目核准的批复


 

武进区发展和改革局:
  你局报来的《关于申报晶能光电(常州)有限公司GaN材料LED大功率外延芯片项目核准的请示》(武发改〔2011〕268号)及随文报送的项目申请报告和节能评估审查意见等附件收悉。根据《外商投资产业指导目录(2007年修订)》(国家发展改革委、商务部令第57号)和《国家发展改革委关于进一步加强和规范外商投资项目管理的通知》(发改外资〔2008〕1773号)等有关规定,经研究,现就该项目核准事项批复如下:
  一、为有效实施节能减排战略,满足LED在电视、照明、汽车等领域快速增长的市场需求,同意实施GaN材料LED大功率外延芯片生产建设项目。项目建设单位为晶能光电(常州)有限公司。
  二、项目建设地点。该项目位于武进高新技术产业开发区凤翔路7号。
  三、主要建设内容和规模。该项目建(构)筑物总面积28339平方米,其中:生产及办公用房20718平方米,辅助用房7621平方米。引进MOCVD、PECVD、有机清洗机、激光切割机、曝光机、研磨机等进口设备175台(套),购置涂胶机、烘箱、合金炉、压片机等国产设备112台(套)。项目建成后形成年产LED大功率外延芯片515970万颗的生产能力。项目建设期为28个月。
  四、项目总投资和资金来源。项目估算总投资9998万美元(折合人民币63987万元,美元兑人民币汇率1:6.4,下同),其中:工程建设投资8273.4万美元(折合人民币52949.5万元,含进口设备用汇4757万美元),建设期贷款利息162.8万美元(折合人民币1041.7万元),流动资金1561.9万美元(折合人民币9996.1万元)。资金来源由企业自筹解决。
  五、节能。请严格按照国家有关节能法律法规和我委出具的节能评估审查意见(常发改〔2011〕407号),落实相关节能措施,切实做好节能工作。
  六、环保及其他。请严格按照常州市环境保护局出具的环评批复的要求,落实各项环保措施。同时,依照国家和省有关法律、法规的规定,做好安全、消防、职业卫生等相关工作。
  七、项目核准的相关文件分别为:晶能光电(常州)有限公司与常州晋美光电科技有限公司签订的《房屋租赁合同》,国有土地使用证(武国用〔2010〕第1201053号),市环境保护局出具的环评批复(常环表〔2011〕77号)。
  八、本核准文件自签发之日起,有效期2年。如项目建设地点、投资方或股权结构、投资总额、主要建设内容及产品等发生变化,或出现法律法规和产业政策规定需要变更的其他情况,必须报我委重新核准。在核准文件有效期内未开工建设项目的,应在核准文件有效期届满30日前向我委申请延期。项目在核准文件有效期内未开工建设也未申请延期的,或虽提出延期申请但未获批准的,本核准文件自动失效。
  特此批复。
 

二○一一年十二月二日
 


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