市发展和改革委关于同意晶能光电（常州）有限公司GaN材料LED大功率外延芯片项目

开展前期工作的函

武进区发展和改革局：

　　你局《关于报请同意晶能光电（常州）有限公司GaN材料LED大功率外延芯片项目开展前期工作的请示》（武发改〔2011〕223号）收悉。晶能光电（常州）有限公司由金沙江创投等公司投资成立，拟在江苏武进高新区内（凤翔路7号）租赁厂房、办公用房等20718平方米和新建辅助用房7621平方米，购置主要生产设备及辅助设备278台（套），新建GaN材料LED大功率外延芯片项目。项目建成后形成年产GaN材料LED大功率外延芯片515970万颗的生产能力。项目匡算总投资9998.0万元（折合人民币63978.3万元，人民币兑美元汇率1:6.4）。项目建设期限为28个月。

　　经我委初审，该项目符合国家有关产业政策。你局可按照《外商投资项目核准暂行管理办法》（国家发展改革委令第22号）等规定，指导该公司开展项目前期工作。该函件非建设项目批准文件，不具有任何行政许可或者行政审批的效力。

特此函告。

　　二○一一年十月十八日

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