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新北区:全国硅基和宽禁带半导体材料与器件应用论坛举办

发布日期:2023-05-29  浏览次数:  字号:〖默认 超大
  5月27日,全国硅基和宽禁带半导体材料与器件应用论坛在常州国家高新区举办,专家和企业家们齐聚一堂,共同探讨新一代信息技术产业的发展趋势。副市长蒋鹏举宣布论坛开幕,区党工委(区委)副书记、区长石旭涌出席论坛并致辞。副区长、龙虎塘街道党工委书记陈瑛出席论坛。
  石旭涌表示,中国电工技术学会首次将硅基和宽禁带半导体技术交流论坛安排在常州国家高新区举办,是对常州国家高新区新一代信息技术产业集群发展的重大肯定,必将进一步为全区产业升级和发展聚势赋能。当前,常州正在不断擦亮“新能源之都”金字招牌,作为串联新能源“发、储、送、用”链条的重要纽带,常州国家高新区发展半导体器件、智能电控等电气产业恰逢其时、大有可为。依托区内的宏微科技、银河微电等上市半导体企业,天合光能、森萨塔、安费诺等行业龙头企业,常州国家高新区正成长为特色鲜明的新一代信息技术产业高地,预计全年总产值将突破400亿元。其中,宏微科技车规级芯片量产后,产能快速攀升,1-4月完成销售4.9亿元,为去年同期的2.5倍,为产业链增长提供了有力支撑。
  第三代半导体行业加速发展,为常州国家高新区新一代信息技术产业提供了更广阔的发展空间。常州国家高新区将全力提供优质服务保障,更大力度打破要素瓶颈、更大力度聚集创新资源、更大力度投入资金扶持,助力产业链、创新链、人才链、资金链、应用链协同发展,为实现新一代信息技术产业高质量发展、安全自主可控贡献高新力量。
  借此契机,常州国家高新区与国家专用集成电路系统工程技术研究中心成功进行合作共建。龙虎塘街道办事处与东南大学集成电路学院签约,将坚持以创新引领发展,依托东南大学的优势学科资源开展技术设计及研发工作,进一步深化在集成电路领域的发展,为加快建设新能源之都、冲刺GDP万亿之城作出更大贡献。
  本次论坛搭建了高水平的交流平台。天合光能股份有限公司副总裁兼光伏科学与技术全国重点实验室主任冯志强博士等12位国内外知名专家分别围绕“夯实功率半导体基石,助力新能源之都建设”主题做专题报告。

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